氧化銦鎵鋅 (IGZO)是新型顯示技術(shù)的關(guān)鍵氧化物半導體材料。在TFT中，可取代Si材料作為溝道層材料。其優(yōu)異性能可使器件實現(xiàn)更高的分辨率、超低功耗和低噪聲，可用于制造新型高性能LCD和OLED顯示器。
| 元素符號 | : | IGZO |
| 成分 | : | In:Ga:Zn:O=1:1:1:4 (原子比) 其它成分可定制 |
| 純度 | : | 4N+ |
| 形狀 | : | 平面靶；旋轉(zhuǎn)靶 |
| 外觀 | : | 亮灰色 |
| 典型密度 | : | ≥6.30g/cm3 |
| 常規(guī)尺寸 | : | 平面靶: 單片靶材L300-1100mm 旋轉(zhuǎn)靶: 單節(jié)靶材L300-700mm 其他尺寸可定制 |
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